一般来说,微处理器的振荡电路由考毕兹电路显示派生如下:
镉和CG是外部负载电容,其中已建成的芯片组. (请参阅芯片组的规格)
Rf为具有200KΩ?1MΩ反馈电阻.它的内置芯片一般设置.
Rd为限流电阻470Ω与1KΩ?.这个阻力是没有必要的公共电路,但仅用于具有高电源电路.
一个稳定的振荡电路需要的负电阻,其值应是晶体阻力的至少五倍.它可写为|-R|>5的Rr.
例如,为了获得稳定的振荡电路中,IC的负电阻的值必须小于?200Ω时的晶体的电阻值是40Ω.负阻“的标准来评估一个振荡电路的质量.在某些情况下,例如老化,热变化,电压变化,以及等等,电路可能不会产生振荡的“Q”值是低的.衡量负电阻(-R)以下说明:线路连接的电阻(R)与晶体串联
(2)从起点到振荡的停止点调整R的值.
(3)振荡期间测量R的值.
(4)你将能够获得负电阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶体的阻力.
附:所连接的电路的杂散电容,可能会影响测定值.
如果晶体的参数是正常的,但它不工作稳步振荡电路中,我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路.如果是这样的话,我们有三种方法来改善这样的情况:
降低外部电容(Cd和CG)的值,并采用其他晶体具有较低负载电容(CL).
采用具有较低电阻(RR)的晶体.
使用光盘和CG的不等价的设计.我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出.当有信号输出从XOUT但不辛,其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的.我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间,以驱动后端电路.