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  • 首页进口晶振Silicon晶振511FBA156M250AAG,156.25MHz,7050mm,Silicon差分晶振

      511FBA156M250AAG,156.25MHz,7050mm,Silicon差分晶振

    • 产品型号:27536723
    • 频率:156.25MHz
    • 尺寸:7.0x5.0mm
    • 产品介绍:511FBA156M250AAG,156.25MHz,7050mm,Silicon差分晶振,Si511,路由器应用晶振,美国进口晶振,Silicon晶振,型号:Si511,编码为:511FBA156M250AAG,频率为:156.2...
    • RoHS RoHS2


    511FBA156M250AAG,156.25MHz,7050mm,Silicon差分晶振,Si511,路由器应用晶振美国进口晶振,Silicon晶振,型号:Si511,编码为:511FBA156M250AAG,频率为:156.250MHz,小体积晶振尺寸:7.0x5.0mm封装,LVDS差分晶体振荡器,六脚贴片晶振,差分晶振,石英晶振,有源晶振。具有超小型,轻薄型,低抖动,低功耗,低相位噪声,低电源电压,低耗能,低电平等特点。应用于:通讯设备、机顶盒、光端机、安防设备、路由器/交换机、仪器仪表、SATA,SAS,光纤通信,10G以太网及各种频率控制设备上。
    Si511  XO利用天空解决方案的先进DSPLL技术,提供从100kHz到250MHz的任何频率。与传统的XO不同,每个输出频率需要不同的晶体,Si511石英晶体振荡器使用一个固定晶体和天空解决方案的专有的DSPLL合成器来产生这个范围内的任何频率。这种基于集成电路的方法允许晶体谐振器提供增强的可靠性,改进的机械鲁棒性,和优良的稳定性。此外,该解决方案提供了优越的电源噪声抑制,简化了在噪声环境下的低抖动时钟产生。水晶ESR和DLD分别进行了生产测试,以保证性能和提高可靠性。Si511可在工厂中进行配置,适合各种用户规格,包括频率、电源电压、输出格式、输出启用极性和稳定性。特定的配置是在装运时由工厂编程的,消除了与定制频率振荡器相关的长交货时间和非重复的工程费用。

    511FBA156M250AAG,156.25MHz,7050mm,Silicon差分晶振,Si511,路由器应用晶振,参数表
    Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
    Nominal Frequency FO CMOS, Dual CMOS 0.1 212.5 MHz
    FO LVDS/LVPECL/HCSL   156.250   MHz
    Total Stability*   Frequency Stability Grade C –30 +30 ppm
    Frequency Stability Grade B –50 +50 ppm
    Frequency Stability Grade A –100 +100 ppm
    Temperature Stability   Frequency Stability Grade C –20 +20 ppm
    Frequency Stability Grade B –25 +25 ppm
    Frequency Stability Grade A –50 +50 ppm
    Startup Time TSU Minimum V DD until output
    frequency (FO) within specification
    10 ms
    Disable Time TD FO> 10 MHz 5 µs
    FO< 10 MHz 40 µs
    Enable Time TE FO> 10 MHz 20 µs
    FO< 10 MHz 60 µs
     

    511FBA156M250AAG,156.25MHz,7050mm,Silicon差分晶振,Si511,路由器应用晶振,尺寸图


    511FBA156M250AAG,156.25MHz,7050mm,Silicon差分晶振,Si511,路由器应用晶振

    产品特点:

    支持从100 kHz到250 MHz的任何频率
    低抖动操作
    2-4周交付周期
    总体稳定性包括10年老化
    全面的生产测试覆盖范围包括晶体ESR和DLD
    用于电源噪声滤波的片上LDO稳压器
    3.3、2.5或1.8 V操作 
    差分(LVPECL、LVDS、HCSL)或CMOS输出选项
    可选集成1:2 CMOS扇出缓冲器
    OE上的Runt抑制和通电
    行业标准5x7、3.2x5和2.5x3.2mm封装差分晶振
    无铅,符合RoHS
    –40至85℃操作

    Si510支持多种选项,包括频率、稳定性、输出格式和VDD。特定的设备配置在装运时被编程到Si510中。可以使用下面的零件号配置图进行配置。Skyworks解决方案提供了一个基于web浏览器的部件号配置实用程序,以简化这个过程。







    原厂代码 晶振厂家 型号 频率 电压
    511BBA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V
    511ABA156M250AAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V
    511ABA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V
    511BBA148M500AAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V
    511FBA200M000AAG Silicon晶振 Si511 200MHz 2.5V
    511ABA156M250AAGR Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V
    511BBA125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V
    511FBA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 2.5V
    511BBA106M250AAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V
    511BBA156M250AAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V
    511ABA155M520AAG Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V
    511BBA155M520AAG Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V
    511FBA106M250AAG Silicon晶振 Si511 106.25MHz 2.5V
    511FBA000149AAG Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 2.5V
    511ABA74M2500AAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V
    511ABA000149AAG Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V
    511FBA74M2500AAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 2.5V
    511BBA000149AAG Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V
    511FBA155M520AAG Silicon晶振 Si511 155.52MHz 2.5V
    511ABA148M500AAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V
    511FBA148M500AAG Silicon晶振 Si511 148.5MHz 2.5V
    511FBA156M250AAG Silicon晶振 Si511 156.25MHz 2.5V
    511ABA212M500AAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V
    511SAA100M000AAG Silicon晶振 Si511 100MHz 1.8V
    511FBA125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 2.5V
    511BBA200M000AAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V
    511BBA74M2500AAG Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V
    511ABA106M250AAG 石英晶振 Si511 106.25MHz 3.3V
    511ABA000110AAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V
    511BBA000110AAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V
    511FBA000110AAG Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 2.5V
    511FBA212M500AAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 2.5V
    511BBA212M500AAG Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V
    511ABA200M000AAG Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V
    511ABA100M000AAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V
    511ABA125M000AAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V
    511BBA100M000AAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 3.3V
    511BBA125M000AAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V
    511FBA100M000AAGR Silicon晶振 Si511 100MHz 2.5V
    511FBA125M000AAGR Silicon晶振 Si511 125MHz 2.5V
    511ABA106M250AAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V
    511BBA106M250AAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 3.3V
    511FBA106M250AAGR Silicon晶振 Si511 106.25MHz 2.5V
    511ABA000149AAGR Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V
    511ABA74M2500AAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V
    511BBA000149AAGR Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 3.3V
    511BBA74M2500AAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 3.3V
    511FBA000149AAGR Silicon晶振 Si511 74.175824MHz 2.5V
    511FBA74M2500AAGR Silicon晶振 Si511 74.25MHz 2.5V
    511BBA156M250AAGR Silicon晶振 Si511 156.25MHz 3.3V
    511FBA156M250AAGR Silicon晶振 Si511 156.25MHz 2.5V
    511ABA155M520AAGR Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V
    511BBA155M520AAGR Silicon晶振 Si511 155.52MHz 3.3V
    511FBA155M520AAGR Silicon晶振 Si511 155.52MHz 2.5V
    511ABA000110AAGR Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V
    511ABA148M500AAGR Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V
    511BBA000110AAGR Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 3.3V
    511BBA148M500AAGR Silicon晶振 Si511 148.5MHz 3.3V
    511FBA000110AAGR Silicon晶振 Si511 148.35165MHz 2.5V
    511FBA148M500AAGR Silicon晶振 Si511 148.5MHz 2.5V
    511ABA125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V
    511ABA200M000AAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V
    511BBA200M000AAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 3.3V
    511FBA200M000AAGR Silicon晶振 Si511 200MHz 2.5V
    511ABA212M500AAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V
    511BBA212M500AAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 3.3V
    511FBA212M500AAGR Silicon晶振 Si511 212.5MHz 2.5V
    511SAA20M0000AAG Silicon晶振 Si511 20MHz 1.8V
    511BCB125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 3.3V
    511ABA25M0000AAG Silicon晶振 Si511 25MHz 3.3V
    511JBA125M000AAG Silicon晶振 Si511 125MHz 1.8V

     

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