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入行设计工程须知晶振定义

来源:http://www.kangbidz.com 作者:康比电子 2019年01月02
    晶振作为在电子产品以及新兴行业的智能化科技等一系列的重大功臣,在每个产品中淋漓尽致的发挥着其功能,虽不是主要,却是无法缺少的电子元件,在选用其元件时需清楚的了解你所需要提供的性能,了解其参数才能更好给产品发挥性能.以下由康比电子晶振厂家简述关于晶振的一些定义.
石英晶体振荡器
    一种定时装置,由石英晶振和振荡电路组成,提供特定参考频率的输出波形.
VCXO(压控晶体振荡器)
    一种振荡器,其输出频率随振荡器控制引脚的电压变化而变化.
TXCO(温度补偿晶体振荡器)
    一种调节温度变化频率的振荡器,通常周期性地对校准频率进行外部调整.这是为了温补晶振补偿晶体随时间的老化.
OCXO(烤箱控制晶体振荡器)
    一种使用烤箱稳定频率变化的石英晶体振荡器.
标称频率(或中心频率)
    振荡器的指定参考频率,通常以兆赫兹和千赫兹为单位.
频率稳定性
    与一组操作条件相关的中心频率的频率偏差量,以百万分率(ppm)表示.这些条件包括:工作温度范围,电源电压和输出负载.
频率容差
    贴片晶振允许的偏差,与参考温度下的标称频率(通常为25°C)
工作温度范围
    满足规格特性的温度范围.这需要仔细说明,因为它会影响成本.
存储温度范围
    温度范围,可以保持放电状态的规格特性(无电压,电流或功率输入).暴露于该温度以上的温度可能导致特性退化或破坏.
频率老化
    在指定条件下运行指定时间长度时的频率漂移量.
逻辑层次
    定义为Ouptut电压逻辑高电平或"逻辑1"和输出电压逻辑低电平或"逻辑0"电压"0"电平(最大值):+0.4VDCTTL,+0.5VDCHCMOS用于Vdd=5VDC(Vdd:电源)电压)电压"1"电平(最小):+2.5VDCTTL,+4.5VDCHCMOS,Vdd=5VDC
三态输出
    具有此功能的石英晶振振荡器允许输出进入高阻态.通过将逻辑控制电压施加到振荡器的引脚1来激活该特征.
电源电压(或输入电压)
    振荡器工作所需的直流输入电压.目前通常使用5VDC,其中3.3VDC用于便携式设备.
电源电流(或输入电流)
    振荡器从电源消耗的电流量,通常以毫安为单位.
上升/下降时间
    晶振上升时间定义为从输出逻辑低到输出逻辑高的转换时间.下降时间定义为从输出逻辑高电平到输出逻辑低电平的转换时间.
占空比(或对称)
    输出波形均匀性的度量.全周期和半周期的比率.对于CMOS,负载额定值为1/2VDC,TTL负载额定值为1.4VDC.
拉动VCXO的范围
    参考条件下VCXO的输出频率可以通过外部直流控制电压改变的标称频率范围,以ppm表示.
VCXO线性
    定义为输出频率与最佳拟合直线控制电压的百分比变化.
启动时间
    从有源晶振振荡器上电到振荡器达到稳定振荡的具体时间.
输出负载
    振荡器驱动其他设备或风扇的能力.TTL器件以可驱动的门数指定.CMOS输出以pF指定.

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