随着数字信息产业进入算力爆发的全新阶段,AI大模型,超算数据中心,5G/6G移动通信,高速光纤通信等赛道持续推动着数据传输带宽的迭代升级.从10G,25G光模块逐步向100G,400G乃至800G光收发系统演进,高速串行差分链路对系统时序参考时钟提出了前所未有的严苛要求.在高速数字系统中,时钟信号的抖动,相位噪声,频率稳定性直接决定了数据传输的误码率,一旦时序基准出现偏差,哪怕是飞秒级别的抖动,都有可能造成高速链路数据包丢失,通信中断,进而影响整套设备的可靠性.在这样的行业背景下,高性能压控差分晶振(VCXO)成为高速硬件设计工程师不可或缺的核心频率元器件.

Raltron(拉隆)作为全球知名的频率控制元器件研发制造厂商,深耕晶振,压控晶振,温补晶振,恒温晶振,SAW滤波器,射频天线等产品数十年,持续为通信,工业,测试测量,卫星通信等领域提供高精度时钟解决方案.深圳康比电子有限公司作为Raltron拉隆品牌授权代理商,专注Raltron全系列晶振产品供应,可为广大硬件研发企业提供VLF5系列高速差分高频VCXO晶振的样品测试,技术选型,批量供货服务,欢迎来电咨询0755-27876201.

一,高速通信时代:差分VCXO晶振的行业价值与市场需求

在传统低速数字电路中,CMOS单端输出晶振凭借成本优势被广泛应用,但是单端信号传输存在天然短板:抗电磁干扰能力弱,信号容易受到板上电源,高速数据线的串扰影响.当信号频率提升至百兆级别,信号边沿速率加快,单端传输的信号完整性问题会急剧放大,时钟抖动劣化,误码率上升,已经无法满足高速光模块,数据中心交换机这类高端设备的时序指标.

差分信号技术的出现很好地解决了高速信号传输难题.差分信号依靠一对正负互补信号传输信息,接收端识别两个信号电压差值,外部电磁干扰会同时耦合到两根差分线上,干扰信号相互抵消,具备极强的抗共模干扰能力.LVDS(低压差分信号)作为差分输出的主流标准,电压摆幅低,功耗小,信号速率高,成为高速时钟输出的首选方案.而VCXO压控晶体振荡器,在普通晶振基础上增加压控调谐功能,工程师可以通过外部施加的直流电压,连续微调输出频率,实现多设备之间的时钟同步,这也是光通信CDR时钟恢复电路,PLL锁相环系统的核心需求.

在高速光通信传输链路中,光收发模块内部的DSP数字信号处理器,必须依靠低抖动VCXO时钟作为频率参考.光模块在长距离光纤传输时,两端设备时钟存在微小频差,需要VCXO实时微调频率,完成时钟对齐.如果时钟源相位噪声偏高,抖动过大,会直接降低光模块接收灵敏度,限制传输距离,甚至导致通信链路断连.AI数据中心的大型交换机设备,背板上数十条高速SerDes链路并行工作,整个系统需要统一的时钟域,依靠VCXO完成时钟校准,保障海量数据转发过程稳定.工业高速采集设备,射频测试仪器同样对时序基准提出高稳定,低噪声,可微调频率的需求.深圳康比电子作为Raltron正规代理,依托原厂资源,为国内研发制造企业提供稳定的原装货源,配套技术支持,解决工程师选型,样品,批量采购难题,咨询热线0755-27876201.

二,Raltron拉隆品牌实力与VLF5系列产品定位

RaltronElectronicsCorporation(拉隆晶振)成立于1983年,总部位于美国佛罗里达州迈阿密,是一家拥有ISO9001:2015质量体系认证的频率器件专业制造企业,是全球少数可以完整覆盖晶体谐振器,普通钟振,VCXO压控晶振,TCXO温补晶振,OCXO恒温晶振,声表面波滤波器,LTCC射频元件,天线,声学器件的厂商.经过四十余年技术沉淀,Raltron产品广泛供应通信基础设施,数据中心,卫星通信,航空航天,工业自动化,医疗电子,测试测量等高端行业,在高精度时钟元器件领域积累大量专利与工程落地经验,产品严格遵循RoHS,REACH等国际环保标准,适配全球电子产品出口要求.

Raltron晶振针对高速差分时钟场景打造了多条VCXO产品系列,VLF3系列与VLF5系列是两大主力LVDS压控晶振产品线.其中VLF3采用3225(3.2×2.5mm)封装,VLF5采用更大的5032(5.0×3.2mm)贴片封装.更大的封装尺寸为内部晶体谐振器提供更优的安装条件,降低振动敏感度,提升相位噪声性能,同时内部电路设计余量更大,在恶劣温度,振动环境下稳定性更强.VLF5系列频率覆盖50MHz至200MHz,基频输出,供电电压3.3V,LVDS差分输出,6引脚贴片封装,属于压控晶体振荡器(VCXO).产品定位中高端高速时序应用,目标场景包含高速光模块,数据中心网络设备,射频测试仪器,工业高速采集系统等.

很多工程师会疑惑VLF5系列和普通固定频率差分晶振的核心差异:普通差分晶振输出频率固定,仅适合不需要时钟同步校准的场景;而VLF5属于VCXO,自带压控调谐端口,外部输入0.5V~2.5V控制电压,即可连续调节输出频率,调谐范围可选±50ppm,±100ppm两个规格,完美适配需要动态时钟校准的PLL,CDR时钟恢复架构,这也是光通信设备的核心刚需.

深圳康比电子有限公司作为Raltron拉隆授权代理,深耕深圳电子元器件市场,专注Raltron晶振全系列推广与技术服务.我们拥有专业的元器件技术团队,能够根据客户硬件方案,协助工程师完成VLF5系列规格选型,提供产品规格书,样品申请,批量报价服务,原厂原装品质保障,欢迎来电咨询0755-27876201.

三,VLF5系列高速差分高频晶振核心电气与机械规格详解

RaltronVLF5系列为5032贴片封装(5.0mm×3.2mm),6引脚SMD表面贴装型VCXO晶振,采用金属密封封装,有效隔绝湿气,粉尘,提升长期可靠性,下面从机械结构,电气参数,环境指标,调谐特性等维度完整解析产品规格.

机械封装与引脚定义

封装外形尺寸5.0mm×3.2mm,厚度为标准贴片晶振厚度,适合SMT自动化贴片机生产,满足PCB高密度布局需求.金属盖板密封结构,抗潮湿能力强,满足工业级长期使用要求.6引脚引脚排布,包含电源引脚,差分输出正负端,压控调谐引脚,使能控制引脚,接地引脚.器件支持输出使能/关断功能,通过引脚电平控制时钟输出开启或者关闭,方便系统电源管理,在设备待机状态关闭时钟输出,降低系统功耗.

频率范围与输出模式

VLF5系列标称输出频率区间50MHz~200MHz,采用晶体基频振荡模式.基频晶振相比泛音晶振,相位噪声性能更优,抖动指标更好,电路设计简单,减少内部倍频电路引入额外噪声,这也是高速时钟应用优先选择基频器件的原因.输出类型为LVDS低压差分信号,差分输出端口推荐外接100Ω差分终端电阻,匹配LVDS标准阻抗,保障差分信号完整性,减少信号反射.LVDS输出晶振摆幅小,信号边沿控制优异,相比PECL,CML差分输出,功耗更低,电源压力更小.

供电与电流参数

标准供电电压VCC为3.3V,允许±10%电压波动,供电电压范围宽,适配板上3.3V标准电源轨.25℃常温条件下最大工作电流40mA,功耗控制合理,不会给电源模块带来过大负载.设计过程中,电源引脚需要就近放置0.1μF陶瓷去耦电容,降低电源噪声耦合到晶振内部,防止电源纹波恶化时钟相位噪声.

压控调谐核心参数(VCXO特性)

VLF5系列作为VCXO压控晶振,压控调谐是核心亮点.压控调谐范围支持±50ppm,±100ppm两种选型方案,工程师根据系统时钟最大频差需求进行选择.压控输入电压区间0.5V~2.5V,无需额外电平转换芯片,可直接由板上DAC或者PLL芯片输出控制电压驱动.压控响应速度≤100μs,当外部控制电压发生变化,晶振输出频率可以快速跟随调整,满足动态时钟同步场景.同时压控线性误差≤±5%,电压和频率变化曲线线性度优秀,方便PLL环路参数调试,减少环路补偿设计难度,避免非线性带来的时钟抖动增大问题.

温度特性,频率稳定度与老化指标

VLF5系列为工业级宽温器件,工作温度范围-40℃~+85℃,覆盖工业设备,户外通信基站,光模块等严苛温度环境.存储温度区间可达-55℃~+125℃,可以承受仓储,运输过程中的极端温度冲击.全温域内包含初始精度,温度漂移,电源波动,负载变化综合频率稳定度最高±25ppm.长期老化性能优秀,首年老化漂移最大±3ppm,意味着设备长时间连续运行,频率漂移量很小,大幅降低设备后期重新校准维护频次.

抖动,相位噪声与环境可靠性指标

对于高速时钟器件,抖动与相位噪声是衡量性能最关键指标.VLF5系列凭借Raltron晶体加工工艺与内部振荡电路优化,可实现超低抖动输出,部分型号RMS抖动指标可做到60fs以内,能够满足高速光模块DSP时钟参考的严苛指标.优异的近载波相位噪声,降低了系统整体噪声基底,减少高速链路误码.同时产品优化振动灵敏度,在振动环境下,频率扰动更小,适合无人机,基站,车载等存在振动的应用场景.产品通过严格的可靠性测试,包含温度循环,湿度老化,机械冲击,振动测试,满足工业设备长期稳定运行要求,并且全系列产品符合RoHS,REACH环保规范,不含限制有害物质,满足国内外电子产品出口合规要求.

四,VLF5高速差分LVDS架构与VCXO技术深度解析

LVDS差分输出技术原理与优势

LVDS全称LowVoltageDifferentialSignaling,低压差分信号技术,是ANSI标准化的高速差分接口标准.LVDS驱动器输出一对幅值相反的信号,在差分传输线对上传输,接收端通过检测两根信号线之间电压差值判断逻辑电平.外部电磁干扰,电源噪声,通常作为共模噪声同时叠加到差分两根导线,在差分相减过程中共模噪声相互抵消,所以差分信号天然具备强大抗干扰能力.

对比传统单端CMOS时钟输出:单端信号以GND作为参考电平,任何地平面扰动,空间电磁辐射都会直接叠加在信号上,频率越高,干扰影响越明显,信号抖动恶化.LVDS信号电压摆幅仅几百毫伏,信号边沿速率可控,电磁辐射EMI远低于单端高速信号,降低整机EMC整改难度.

在VLF5晶振内部集成LVDS驱动电路,直接输出差分时钟信号,无需外部增加差分转换芯片,简化外围电路,减少额外器件引入噪声.但LVDS布线对PCB设计有特定要求,差分对需要严格等长,控制差分阻抗100Ω,这部分我们会在后续PCB设计章节详细阐述.

VCXO压控晶体振荡器工作原理

VCXO压控晶振核心是晶体谐振器与可变电抗网络.晶体谐振器具备固有的谐振频率,当外部施加控制电压时,电压改变变容二极管等效电容,微调振荡回路总电容,从而小幅改变晶体谐振频率,实现输出频率连续可调.

很多人会混淆VCXO,TCXO的区别:TCXO温补晶振,核心作用是自动补偿温度带来的频率漂移,调谐范围很小;VCXO压控晶振,重点是依靠外部电压主动调节频率,主要用于闭环时钟同步环路.在光通信CDR电路中,接收端检测接收数据流和本地时钟之间相位差,通过PLL环路输出控制电压给到VLF5的压控引脚,动态微调晶振频率,让本地时钟和远端发送端时钟对齐,恢复出原始数据,这就是VCXO在光模块里的核心工作逻辑.

VLF5的压控环路设计重点优化线性度,压控电压和频率变化保持近似线性关系.如果压控非线性严重,PLL环路增益会随工作点变化,环路不稳定,容易出现时钟抖动增大,环路失锁.Raltron在VLF5内部电路设计阶段,对变容二极管和振荡回路做匹配优化,将线性误差控制在±5%以内,降低工程师PLL环路调试难度.

低抖动设计背后的关键技术

高速时钟的抖动分为随机抖动,确定性抖动,相位噪声是频域描述抖动的方式.晶振内部晶体谐振器的品质因数Q值,直接决定相位噪声基底.Raltron选用高Q值晶体毛坯,精细研磨,电极镀膜工艺,降低晶体本身固有噪声.同时振荡放大电路选用低噪声晶体管,优化偏置电路,减少有源器件引入噪声.电源稳压与滤波电路集成在晶振内部,抑制电源噪声耦合到振荡核心回路.

在高速光通信系统中,时钟抖动会直接转化为接收端的采样误差.例如25G速率光信号,单位间隔UI非常小,几十飞秒的抖动累积,就会造成采样点偏移,误码率上升.VLF5系列超低抖动特性,就是为了保障高速串行链路的信号余量,提升系统链路预算,延长光纤传输距离.

振动敏感度优化

在基站,无人机,车载设备等场景,设备长期处于机械振动环境,振动会对晶体谐振器产生应力,造成频率瞬时偏移,引入额外抖动.Raltron针对VLF5系列优化晶体固定支架结构,提升晶体抗振动应力能力,降低振动敏感度.在振动测试条件下,频率扰动控制在很低水平,保障振动工况下时钟稳定性,拓展产品应用边界.

五,VLF5系列晶振多行业应用场景深度剖析

VLF5系列凭借LVDS差分输出,VCXO压控可调,宽温,低抖动的综合特性,广泛应用于高速光通信网络,AI数据中心,工业自动化,精密测试测量设备等多个高端领域,下面分场景介绍落地应用.

高速光通信光收发模块(核心应用场景)

光通信是VLF5系列最主要的应用市场,适配SFP+,SFP28,QSFP,OSFP等高速光模块.光模块内部DSP数字信号处理器,需要一路高精度可微调的参考时钟.光纤长距离传输过程中,两端设备时钟存在固有频差,CDR时钟恢复电路依靠VCXO实时微调频率,完成时钟同步,还原光信号承载的数据.5G通信前传,中传链路的光模块,户外基站温度波动大,-40℃~+85℃宽温能力完美匹配基站环境;城域网,长途骨干光纤传输设备,对时钟抖动,相位噪声指标严苛,VLF5低抖动特性保障传输链路稳定,降低误码概率.

AI数据中心网络设备

AI算力时代,数据中心内部服务器,交换机,存储阵列之间海量数据高速交互.高速以太网交换机背板集成大量SerDes高速串行通道,整机需要统一时钟域.多板卡,多芯片协同工作时,依靠VCXO完成时钟校准与同步.数据中心机房电磁环境复杂,电源噪声,高密度信号线串扰严重,VLF5差分输出强大抗干扰能力,保证时钟信号完整性,保障交换机高速数据包转发不丢包.存储阵列控制器,同样依靠高精度时钟完成高速数据读写时序控制.

工业自动化与高速数据采集系统

工业自动化晶振领域,高速DAQ数据采集卡,运动控制PLC,工业以太网设备,需要精准时序基准.工业车间环境温差大,电机,变频器带来大量电磁干扰,VLF5宽温特性和LVDS抗干扰能力,适配工业恶劣工况.多轴运动控制系统,多个控制器之间需要时钟同步,依靠VLF5压控调谐实现时序对齐,提升多轴同步控制精度,减少运动定位误差.

测试与测量仪器

示波器,射频信号发生器,频谱分析仪这类精密测试仪器,对参考时钟相位噪声和频率稳定度要求极高.仪器的测量精度,很大程度取决于内部参考时钟质量.VLF5超低相位噪声,可压控微调的特性,可作为仪器内部PLL频率合成器的参考时钟源,提升射频信号纯净度,保障测量数据精准.

卫星地面站,射频通信系统

卫星地面接收站,射频收发设备,射频本振PLL系统,采用VCXO作为参考时钟,完成射频频率合成.VLF5稳定的频率特性,低相位噪声,优化射频频谱纯度,降低杂散信号,提升无线通信链路性能.

六,VLF5晶振工程选型,PCB布线与使用注意事项

产品选型要点

硬件工程师选型VLF5系列,需要确认几项关键参数:

标称输出频率:50~200MHz区间,确认系统所需时钟频率;

压控调谐范围:±50ppm或者±100ppm,根据PLL环路最大频差需求选择;

工作温度范围:标准型号-40~+85℃工业级;

抖动与相位噪声指标:高速光模块场景优先确认RMS抖动规格;

使能功能:确认是否需要时钟输出开关控制.

如果选型过程中存在参数疑问,可以联系深圳康比电子,技术工程师协助评估方案,提供原厂规格书,样品测试支持,咨询电话0755-27876201.

PCB布线设计重点(LVDS差分布线)

LVDS差分时钟布线直接影响实际抖动性能,很多时候晶振本身性能优秀,但PCB布线不当,会造成信号完整性劣化.

差分对严格等长:VLF5差分时钟输出正负两根走线,长度误差控制在极小范围,避免时序偏移;

差分阻抗控制:差分线阻抗控制100Ω,PCB厂商生产前提前确认叠层参数;

参考平面:差分走线下方保持完整地平面,不要跨分割开槽,跨分割会破坏回流路径,引入噪声;

远离干扰源:差分时钟走线远离开关电源,大电流信号线,高频数字总线,减少串扰;

终端电阻:LVDS差分对推荐在接收端放置100Ω终端匹配电阻;

电源滤波:晶振电源引脚就近放置0.1μF高频陶瓷去耦电容,电源入口可增加磁珠,抑制电源噪声.

SMT焊接工艺要求

VLF5为金属密封贴片晶振,适合标准SMT回流焊工艺,回流焊峰值温度不超过260℃,高温停留时间按照元器件规格书要求控制,避免过高温度损伤晶体内部结构,造成频率偏移,性能劣化.手工烙铁焊接不推荐,局部过热容易损坏器件.焊接完成之后,尽量避免机械大力挤压器件本体,防止晶体应力导致频率漂移.

压控电路设计建议

压控输入引脚,增加RC低通滤波电路,滤除控制电压上的高频噪声.压控端噪声会直接调制晶振输出频率,引入额外相位抖动.PLL环路设计时,结合VLF5压控线性度指标,合理设置环路带宽,平衡环路锁定速度与噪声抑制能力.

七,供应链保障与技术服务:深圳康比电子Raltron授权代理

当前全球电子元器件供应链波动,进口晶振普遍存在交期不确定,假货风险,技术支持缺失等难题.选择正规授权代理商,是保障硬件项目顺利推进的关键.

深圳康比电子有限公司,是Raltron拉隆品牌授权代理商,专注Raltron全系列频率器件的推广,销售与技术服务,主营VLF5,VLF3,VCXO,TCXO,OCXO等全系列Raltron晶振产品.

我们的优势:第一,原装正品保障.直接对接原厂货源,所有VLF5晶振均为Raltron原厂出货,可提供原厂出厂资料,杜绝翻新,仿冒器件,规避产品质量风险.第二,样品与批量配套.支持客户研发阶段样品申请,提供小批量试产,大批量供货,根据项目需求协调库存,缩短交付周期.第三,本地化技术支持.拥有元器件专业技术团队,协助硬件工程师完成前期规格选型,评估VLF5是否适配硬件方案,解答晶振参数,PCB设计,可靠性相关技术疑问,协助解决项目调试阶段时钟相关问题.第四,一站式元器件配套.除Raltron晶振外,可配套其他无源,有源元器件采购,简化采购流程.

不管是研发阶段样品申请,还是项目量产批量报价,欢迎致电深圳康比电子咨询RaltronVLF5系列高速差分高频晶振:0755-27876201.

八,行业总结与未来展望

算力网络,高速光通信产业持续迭代,硬件系统对时钟基准的要求只会越来越严苛.VCXO差分晶振作为高速链路时序核心器件,在800G光模块,下一代数据中心,6G通信基础设施中,市场需求持续增长.对于硬件研发企业而言,器件选型不仅要看参数指标,同时需要稳定供应链与可靠技术支撑.深圳康比电子有限公司作为Raltron拉隆授权代理,持续为国内电子制造企业提供原装Raltron晶振产品与专业技术服务,助力国内高速通信,工业测量,算力设备产业发展.如需了解VLF5系列详细规格,样品申请,产品报价,欢迎来电咨询0755-27876201.

Raltron拉隆VLF5系列高速差分高频VCXO晶振

H130B-25.000-20-F-3030-TR	Raltron拉隆晶振	H130B	25 MHz
H130B-18.432-18-EXT-TR	Raltron拉隆晶振	H130B	18.432 MHz
R2016-27.120-10-F-1010-TR-NS4	Raltron拉隆晶振	R2016	27.12 MHz
H130A-24.000-18-2030-EXT-TR	Raltron拉隆晶振	H130A	24 MHz
RT2012-32.768-12.5-EXT-TR	Raltron拉隆晶振	RT2012	32.768 kHz
RT2012-32.768-7-20-EXT-TR	Raltron拉隆晶振	RT2012	32.768 kHz
H130B-50.000-16-F-1010-TR	Raltron拉隆晶振	H130B	50 MHz
RT2012-32.768-9-20-EXT-TR	Raltron拉隆晶振	RT2012	32.768 kHz
RT2012-32.768-9-TR	Raltron拉隆晶振	RT2012	32.768 kHz
RT3215-32.768-6-TR	Raltron拉隆晶振	RT3215	32.768 kHz
RSE-32.768-12.5-H14-TR-10PPM	Raltron拉隆晶振	RSE H14	32.768 kHz
RSE-32.768-6-H14-TR	Raltron拉隆晶振	RSE H14	32.768 kHz
H13-6.000-16-5050-EXT-TR	Raltron拉隆晶振	H13	6 MHz
AS-27.000-20-F-3030-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	27 MHz
AS-24.576-18-F-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	24.576 MHz
RH100-48.000-18-F-3030-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	48 MHz
R2520-26.000-9-F-1010-TR	Raltron拉隆晶振	R2520	26 MHz
R2016-16.000-9-1010-TR-NS1	Raltron拉隆晶振	R2016	16 MHz
RSE-32.768-7-H14-TR	Raltron拉隆晶振	RSE H14	32.768 kHz
RT1210-32.768-9-TR	Raltron拉隆晶振	RT1210	32.768 kHz
AS-5.000-18-EXT-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	5 MHz
RH100-26.000-9-F-1015-X-TR-NS2	Raltron拉隆晶振	RH100	26 MHz
RH100-24.000-12-1020-EXT-TR-N1	Raltron拉隆晶振	RH100	24 MHz
RH100-38.400-15-F-2030-EXT-TR-NS1	Raltron拉隆晶振	RH100	38.4 MHz
RH100-27.120-18-F-3030-EXT-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	27.12 MHz
RH100-40.000-6-F-1010-EXT-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	40 MHz
RH100-30.000-10-F-1010-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	30 MHz
RH100-25.000-20-F-1010-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	25 MHz
RH100-32.000-9-F-1010-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	32 MHz
RH100-19.200-10-1010-TR-NS1	Raltron拉隆晶振	RH100	19.2 MHz
RH100-12.000-9-1515-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	12 MHz
RH100-20.000-10-1010-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	20 MHz
RH100-27.000-10-F-1010-TR-NS2	Raltron拉隆晶振	RH100	27 MHz
RH100-38.400-8.5-F-1010-TR-NS2	Raltron拉隆晶振	RH100	38.4 MHz
AS-24.576-20-F-3030-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	24.576 MHz
AS-3.6864-18-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	3.6864 MHz
AS-6.144-22-2020-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	6.144 MHz
AS-30.000-18-F-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	30 MHz
AS-8.192-20-3030-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	8.192 MHz
AS-4.9152-33-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	4.9152 MHz
AS-25.000-20-F-3030-EXT-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	25 MHz
AS-12.288-18-EXT-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	12.288 MHz
AS-18.432-18-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	18.432 MHz
RH100-26.000-10-F-2040-X-T-NS1	Raltron拉隆晶振	RH100	26 MHz
RH100-27.000-8-F-1515-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	27 MHz
AS-14.7456-20-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	14.7456 MHz
AS-12.000-18-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	12 MHz
AS-14.31818-20-3030-SMD-H32-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	14.31818 MHz
RH100-38.400-10-F-1010-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	38.4 MHz
AS-4.9152-20-EXT-3PIN-SP-TR	Raltron拉隆晶振	AS	4.9152 MHz
RH100-54.000-19-F-1525-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	54 MHz
RH100-16.000-9-1010-EXT-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	16 MHz
RH100-12.288-18-2030-EXT-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	12.288 MHz
AS-26.000-20-F-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	26 MHz
AS-12.000-18-3030-EXT-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	12 MHz
RH100-24.000-10-1010-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	24 MHz
RH100-40.000-10-F-1010-TR	Raltron拉隆晶振	RH100	40 MHz
AS-8.000-20	Raltron拉隆晶振	AS	8 MHz
AS-40.000-18-F-EXT-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	40 MHz
AS-14.31818-20-SMD-TR	Raltron拉隆晶振	AS-SMD	14.31818 MHz

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