很多设计工程师在选型一个晶振都必须要知道的它的并电容,才能知道应该匹配那种参数的晶振,而且在 PCB 上每个芯片的 Vcc 到地都要安装一个退耦电容在离引脚最近的位置上, 从电路图上来看, 它们都是并联的,今天康比电子给大家讲解一下关于并电容C₀、动态电容C₁的核算与电极尺寸的确定
1、并电容C₀
  并电容又叫静电容，有两部分组成：一部分是由电极相对应的有效区域组成的电容C_e，另一部分是由电极引出部分及电极与外盒、两引出线之间的分布电容C_h组成。即:
C₀=C_e+C_h                                                                                             (3.6.38)
式中C_e为电极面积。

式中
Φ_e一电极直径(mm)；
t_F一石英晶振晶片腐蚀后的厚度(mm)；
l_e一电极长度(参考表3.6.4的电极尺寸)(mm)；
W_e一电极宽度(参考表364的电极尺寸)(mm)；
对于HC-49U/S，C_h=0.6pF左右；对于HC-49U/S-SMD矮形,C_h=0.9~1.0pF左右。
2、计算动态电容C₁

Φ_e一圆电极直径(mm);
t_F一石英片腐蚀后的厚度(mm)；
l_e一电极长度(参考表3.6.4的电极尺寸)(mm)；
W_e一电极宽度(参考表364的电极尺寸)(mm)；
同时注意：
1)银层厚度要控制好，最好为800~1000A；
2)腐后贴片晶振片的频率分组组距最好为250-300ppm/组；
3)被银后的频率误差为  ppm内；
4)使石英片长度与厚度之比即l_x/t=1.5n倍。
2.8.3牵引灵敏度(S)
S= ；（ppm/pF）；                                                        (3.6.42)
3、当并电容C₀和动态电容C₁无特殊要求时，电极尺寸按表3.6.4选取。
4、长条片设计实例
HC-49U/S-4000KHz石英晶体振荡器元件的规格设计。
5、规格要求
(1)标称频率f_n:4000KHz；
(2)调整频差:±15ppm:T₀=25±2℃；
(3)晶振工作温度范围:OTR:-20~+70℃；